据路透社援引知情人士消息，两家韩国存储芯片巨头均在中国境内的生产设施上加大投入，推动技术规格向更高层级迭代。其中，三星的目标指向286层堆叠芯片的量产能力，SK海力士亦在推进类似方向的升级部署。

与此同时，中国本土芯片制造商长江存储（YMTC）也在持续取得技术进展，进一步加剧了这一领域的竞争态势。

据知情人士透露，三星正在推进其中国工厂的技术升级，以期实现286层NAND闪存芯片的生产。这一层数代表当前NAND存储技术的前沿水平，若在中国工厂落地，将标志着三星在华产能的显著技术跃升。

三星在中国设有重要存储芯片生产基地。此次升级计划若顺利推进，意味着其中国工厂将不再局限于成熟制程，而是向更具竞争力的先进产品线靠拢。

SK海力士同样被指正在对其中国生产设施实施升级。知情人士透露，该公司的升级方向与三星相近，均旨在提升中国工厂的芯片技术规格。

SK海力士在中国无锡拥有DRAM芯片工厂，并持有原英特尔大连NAND工厂的部分资产。

与此同时，中国本土存储芯片制造商长江存储也在技术层面取得新进展。路透社报道显示，长江存储的技术追赶步伐并未因外部压力而明显放缓，其进展将进一步加剧全球NAND市场的竞争烈度。