ASML与台积电瞄准更大尺寸EUV光罩

台积电计划自2030年起进行高数值孔径（High NA）制造，试点线目标在2031年投产，早于2033年的大规模生产。

ASML股价在周二盘前交易中上涨3.07%，至1,767.53美元，延续了前一交易日的涨势。这一动向紧随ASML与台积电的一项新举措，该举措专注于下一代高数值孔径极紫外（High NA EUV）制造。该项目旨在采用更大的光罩，以提高晶圆厂生产力并降低先进芯片制造成本。

ASML与台积电推动更大尺寸EUV光罩

ASML与台积电发起了一项行业倡议，旨在将先进光刻技术从六英寸光罩过渡到十二英寸格式。更大的光罩可以提高扫描仪的生产效率，同时消除与拼接相关的生产限制。因此，芯片制造商可以在未来的半导体节点上更高效地处理先进设计。

高数值孔径EUV系统在早期生产采用阶段将继续使用现有的六英寸光罩。ASML预计，随着半导体设计变得日益小型化和复杂化，十二英寸光罩将支持更高的生产力。这种更大的格式还可以降低使用先进光刻设备公司的制造成本。

该公司在9月7日加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE BACUS会议之前推出了这项倡议。主要的掩模供应商、芯片制造商和生态系统合作伙伴参加了此次活动并支持这一转型。他们的参与为项目提供了更广泛的行业基础，使开发工作向试点生产迈进。

台积电计划自2030年起实施高数值孔径制造

台积电计划自2030年起将ASML的高数值孔径技术引入先进半导体节点的大规模生产。代工厂预计，随着晶体管结构变得越来越复杂，更多的芯片层将需要高数值孔径EUV技术。因此，ASML有望在未来几年因对先进光刻设备需求的增加而受益。

台积电还预计，先进的计算工作负载将推动对更小、更快且能效更高的芯片的需求。高数值孔径EUV可以打印更精细的特征，并支持未来工艺技术的持续晶体管缩放。

该技术将在台积电的先进制造路线图中的重要性日益凸显。该合作也加强了ASML在台积电长期生产计划中的地位。台积电是全球最大的先进半导体制造商之一，服务于主要科技公司。其计划采用的高数值孔径技术可以鼓励行业更广泛地使用ASML最新的光刻平台。

试点线目标2031年投产，早于2033年量产

在新项目下，ASML与台积电旨在到2031年建立一条十二英寸光罩试点线。该生产线将在更广泛部署之前测试制造工艺、供应需求和设备兼容性。这项工作将为2033年前的高级生产做好准备，使十二英寸高数值孔径光刻系统得以应用。

这一转型需要光罩供应商、设备制造商、代工厂和其他半导体制造合作伙伴之间的协调。ASML和台积电将该计划定位为全行业的努力，而非封闭的双边项目。这种方法可以加快标准制定，并减少半导体供应链中的实施障碍。

ASML已经在用于尖端半导体制造的EUV光刻设备市场处于领先地位。其高数值孔径平台代表了超越当前先进节点所用EUV系统的下一个重大步骤。与台积电的合作现在为ASML的长期高数值孔径增长战略提供了一个明确的时间表。