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英伟达服务器涨价超15%!AI算力后周期爆发,液冷、电源与电子化学品迎低位补涨“黄金坑”

英伟达服务器涨价超15%!AI算力后周期爆发,液冷、电源与电子化学品迎低位补涨“黄金坑”


近期A股市场量能持续萎缩,科技板块前期积压的利空充分消化,资金围绕供应链安全、行业止跌反转两大方向集中进攻。盘面信号显示,硬件爆发带动上游材料、温控同步异动,电子化学品多股涨停。这一现象背后,是AI算力产业链利润池正在沿“存储—先进封装—AI服务器升级—配套硬件”路径向国内映射。板块前期调整充分,估值位置更低,属于算力链后周期补涨环节。

核心理由在于:AI数据中心建设加速,单机功耗持续飙升,液冷渗透率快速提升;高速芯片、光模块拉动电子化学品、高端电源需求。这一类公司不直接受海外GPU限制,国内数据中心建设就可以直接带动业绩,确定性较强。前期涨幅远小于光模块,机构持仓不算拥挤,在主线热度扩散阶段容易走出补涨行情。消息面上,英伟达已告知微软、谷歌、甲骨文等最大客户,搭载Vera Rubin和Grace Blackwell芯片的AI服务器自明年初起将普遍提价,多数情况下涨幅超过15%。这不仅是一则概念催化,更揭示了AI算力基础设施配套环节即将迎来业绩兑现的爆发期。



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产业链深度解析:算力密度跃迁重构AI基础设施价值分配

当我们将目光投向整个AI算力基础设施配套产业链,可以清晰地看到,随着算力密度的跃迁,产业链的价值分配正在经历深刻的重构。液冷、电源、电子化学品等环节,正在从传统的辅助配件,跃升为决定AI算力集群能否稳定运行的核心基础设施。



  • 关键原材料供应与价格波动:上游材料赛道均深度受益于AI大模型持续迭代、超算中心建设提速、全球数据中心大规模扩容,叠加下游需求爆发与高端领域国产替代双重成长逻辑,长期成长空间广阔。在液冷材料领域,3M已于2025年底完成PFAS制造退出,退出范围包括含氟聚合物、含氟流体和PFAS添加剂,为替代型绝缘介质提供潜在市场窗口。在基础金属材料方面,在AI算力大基建浪潮下,铜的需求逻辑正在从传统电力金属进一步扩展为AI硬件底层核心材料。AI服务器功率密度提升带动供电铜排、连接器铜合金、液冷板、散热模组和电源系统铜材需求增长,铜从“用量逻辑”升级为“用量+材料附加值”双重逻辑。

  • 供应商议价能力与集中度:尤其海外垄断度高、技术壁垒严苛的稀缺细分领域,国产化突破空间充足,未来业绩弹性与估值提升潜力最为突出。例如,高端铜箔及铜材端、高速互连及连接器外延标的,以及氮化铝、陶瓷封装及导热材料端,均呈现出较高的技术壁垒和市场集中度。



  • 核心工艺与技术壁垒:中游环节涵盖了液冷温控系统、服务器电源、PCB及覆铜板等核心部件。以液冷为例,冷板液冷是当前商业化程度最高、应用规模最大的液冷方案,也是AI服务器最主要的散热技术路线。冷板液冷凭借较高成熟度、良好的服务器兼容性以及较低改造成本,仍将是未来几年AI智算中心的主流方案。浸没液冷则凭借更高散热能力和更低PUE,在超高功率密度AI集群、超级计算等场景具备进一步渗透潜力。

  • 行业竞争格局:产业竞争也由单纯制造能力逐渐转向技术研发、平台适配、客户认证和规模交付能力的综合竞争。未来行业竞争不会仅围绕单一产品展开,而将围绕“芯片—服务器—机柜—数据中心”完整生态展开。最终能够胜出的企业,需要同时具备技术研发能力、系统集成能力、供应链管理能力以及长期客户合作能力。



  • 主要应用领域与市场规模:下游主要面向AI数据中心、超算中心以及大型云厂商。高盛预计,美国数据中心用电需求将从2025年的31GW升至2026年的41GW,2027年进一步达到66GW。摩根士丹利则估计,美国2026—2028年数据中心潜在电力缺口达到约38GW,部分地区电网接入周期已经达到5—7年。

  • 客户群体与需求驱动因素:客户群体高度集中于微软、谷歌、字节、阿里、腾讯等头部云厂商。英伟达已告知微软、谷歌、甲骨文等最大客户,搭载VeraRubin和Grace Blackwell芯片的AI服务器自明年初起将普遍提价,多数情况下涨幅超过15%。这表明下游客户对高性能算力的需求极度旺盛,且具备较强的价格承受能力。海外算力采购成本大幅抬升,将进一步加速国产算力替代进程。

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核心逻辑一:液冷温控——从“可选”到“必选”,渗透率迎爆发式增长

在AI算力狂飙突进的当下,散热问题已经成为制约算力释放的最大物理瓶颈。液冷温控板块的爆发,绝非简单的资金轮动补涨,而是基于产业底层逻辑的深刻变革。



  • 随着生成式AI、大模型训练及高性能计算需求持续增长,GPU功耗和服务器机柜功率密度不断提升,传统风冷方案逐渐接近物理极限,液冷正在由过去高性能计算领域的辅助技术,转变为支撑下一代算力基础设施的重要组成部分。过去液冷经常是一个典型的末端补涨品种。光模块、服务器、PCB、半导体设备先涨,核心资产涨高后,资金开始寻找低位分支,液冷、温控、机柜等细分环节被轮番挖掘。但这一次不能简单套用旧经验。因为Rubin时代,液冷已经从“补涨环节”变成新一代算力架构的必要条件。

  • 英伟达Rubin已经把“全液冷”从未来技术路线变成量产平台。Vera Rubin NVL72采用100%液冷,冷却液入口温度最高可达45℃,英伟达明确表示,这种温水液冷方案可以在很多地区直接配合干冷器运行,减少甚至取消传统机械制冷设备。据TrendForce最新判断:2026年AI芯片液冷渗透率预计达到53%,2027年接近60%;英伟达机架级液冷方案2026年出货量预计翻倍,Google超过80%的AI服务器已经采用液冷。这意味着液冷正在从服务器配件变成AI数据中心的系统级基础设施。



  • 从产业链角度看,液冷正在重构数据中心价值分配体系。传统风冷时代,散热价值主要集中于空调系统、冷水机组及机房基础设施,而液冷时代的价值进一步向服务器内部、机柜侧以及芯片级热管理环节延伸。冷板、CDU、快接头、冷却液及系统控制模块等核心部件的重要性持续提升,产业竞争也由单纯制造能力逐渐转向技术研发、平台适配、客户认证和规模交付能力的综合竞争。

  • 从产业投资角度来看,液冷行业长期价值并不只来自市场规模增长,更来自产业链价值重构过程中核心环节的重新分配。未来具备技术壁垒、客户认证能力和规模交付能力的企业,有望获得更高产业价值。短期来看,随着冷板液冷成为AI数据中心主流方案,冷板、CDU、快接头、液冷管路等直接受益环节将率先实现规模化增长。其中,能够进入主流AI服务器供应链、获得平台认证并实现批量交付的企业,将具备更强成长确定性。中长期来看,电子氟化液、高性能材料、智能温控系统以及芯片级热管理技术将成为产业进一步升级的重要方向。



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核心逻辑二:服务器电源与配套硬件——高压直流架构演进,AI电源成下一道瓶颈

如果说液冷解决了AI算力的“高烧”问题,那么电源系统则决定了AI算力能否获得充足的“血液”供应。随着算力集群规模的指数级扩张,电力与电源架构的瓶颈日益凸显。



  • 过去我们讲AI算力,通常只想到GPU。但AI发展到今天,已经出现一个很现实的问题:芯片有了,服务器有了,数据中心建好了,电从哪里来?AI真正的下一道瓶颈,正在从“算力”转向:电力、配电、散热和能源效率。高盛预计,美国数据中心用电需求将从2025年的31GW升至2026年的41GW,2027年进一步达到66GW。摩根士丹利则估计,美国2026—2028年数据中心潜在电力缺口达到约38GW,部分地区电网接入周期已经达到5—7年。

  • 液冷散热和AI电源功率升级都是配套的,英伟达已经在推进800VDC架构。原因并不复杂:机柜功率越高,在传统54V架构下,电流、铜材、线缆、连接器和损耗都会迅速上升。800VDC的本质,是用更高电压降低电流,让兆瓦级AI机柜继续做得下去。英伟达及产业链已经展示800VDC  Power Rack、110kW Power Shelf等方案,下一阶段将进一步向高压直流、固态变压器和直流微电网演进。这也是为什么我认为:AI电源不是液冷行情之后的补涨,而是Rubin之后AI基础设施的第二条主线。

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  • 第一是PSU/Power Shelf:这是最直接的受益环节。随着机架功率提升,单机架电源密度持续提高,电源架从传统服务器配套逐渐成为独立价值量较高的基础设施。

  • 第二是BBU:AI负载并不是平滑的,GPU瞬时功率波动会越来越明显。BBU本质上是在机架侧解决短时间功率波动问题,未来与设施级BESS形成“短时稳压+长时储能”的双层架构。

  • 第三是SSCB固态直流断路器:800VDC最大的工程问题之一,就是直流没有自然过零点,传统交流保护方式并不能简单照搬。随着高压直流进入机架,SSCB的重要性明显提升。

  • 第四是更远期的SST固态变压器:如果800VDC进一步向数据中心电力中心、直流微电网发展,SST将成为“电网到AI机架”的关键设备。此外,AI服务器电源架构向48V/54V甚至更高电压演进,UPS、电源模块、液冷供配电系统和高功率转换环节对铝电解电容器的耐纹波、长寿命和高可靠性要求提升,带动高端铝电容及上游电子铝箔、电极箔需求增长。




核心逻辑三:电子化学品与上游材料——高端领域国产替代,业绩弹性凸显

在AI算力硬件的底层,是一场关于基础材料的无声战役。随着先进制程的不断突破和算力密度的提升,电子化学品及上游核心材料的消耗量和技术壁垒正在呈指数级上升。



当前AI行业行情主线持续向上游材料端传导,各类核心材料轮番开启涨价周期,AI材料板块已然取代终端应用,成为AI行情核心“C位”,其中MLCC、光纤预制棒、磷化铟、四氯化硅、电子氟化液等高壁垒细分方向成长确定性最强。整体上游材料赛道均深度受益于AI大模型持续迭代、超算中心建设提速、全球数据中心大规模扩容,叠加下游需求爆发+高端领域国产替代双重成长逻辑,长期成长空间广阔。尤其海外垄断度高、技术壁垒严苛的稀缺细分领域,国产化突破空间充足,未来业绩弹性与估值提升潜力最为突出。



  • 湿化学品(电子化学品):晶圆清洗、蚀刻、显影、剥离全流程核心药水,AI先进制程对晶圆洁净度、良率要求极高,带动高纯、超高纯湿化学品单厂消耗量持续提升。

  • PCB专用湿化学品:PCB蚀刻、电镀、棕化、清洗全流程专用药水,AI算力板线路更精密、工艺更复杂,带动药水消耗量与单品价值量大幅提升。

  • 氮化铝AlN:超高导热陶瓷基材,导热性能远超传统氧化铝,是AI高功耗芯片、算力模组封装散热的核心刚需材料,适配高密度集成算力硬件。氮化铝具备高导热、绝缘、低热膨胀系数等特性,适用于AI芯片、功率器件、高功率模块、陶瓷基板和封装散热场景,随着AI芯片功耗提升,高导热封装材料和散热基板需求有望持续增长。

  • 先进封装材料与光刻胶:芯片光刻图形化核心感光材料,制程越高端技术壁垒越高,AI高端GPU、AI算力芯片量产,持续拉动KrF、ArF中高端光刻胶刚需,是半导体国产替代核心卡脖子环节。此外,晶圆制造全局平坦化必备工序,先进AI芯片、高堆叠存储芯片抛光工序大幅增加,抛光液、抛光垫双耗材用量同步提升,算力扩张带动行业高增长。



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投资策略与风险提示

在当前的市场环境下,产业逻辑正确,但需要注意不等于现在就该重仓。当前最需要克制。宏观事件尚未完全落地,英伟达财报和资本开支指引即将验证,海外AI估值仍处于高波动阶段,A股中报也尚未完全收官。因此,8月下半场更适合做结构研究,而不是情绪追涨。真正值得重视的不是“液冷又涨了多少”,而是AI的瓶颈正在从芯片逐步向电力、散热和基础设施迁移。下一轮AI资本开支高潮,将不只是买GPU,也要买电、买地、买电网、买冷却。

风险提示:

  1. 市场与需求风险:液冷行业需求高度绑定云厂商、AI算力企业资本预算,算力建设节奏放缓会直接造成订单下滑。客户集中度偏高,头部客户议价能力强,存在订单周期波动风险。

  2. 技术路线与可靠性风险:冷板式、浸没式格局尚未完全定型。芯片直冷、新型散热方案未来可能分流传统液冷需求,企业存在产能、研发沉没成本风险。漏液、密封失效会引发服务器短路损毁。

  3. 供应链风险:高端氟化冷却液、高精度CDU温控单元海外厂商占据主导,国产化率偏低,存在供给受限、涨价风险,浸没式受影响更突出。需求爆发时高端冷却液产能瓶颈容易造成交付约束。



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