美光在 2026 年度技术网络研讨会上展望了 DRAM、HBM、NAND 与 SSD，其中披露 G11 NAND 预计于 2027 年下半年开始产能爬坡。该代产品堆叠超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的两倍，I/……
美光在 2026 年度技术网络研讨会上展望了 DRAM、HBM、NAND 与 SSD，其中披露 G11 NAND 预计于 2027 年下半年开始产能爬坡。该代产品堆叠超过 400 层，采用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度约为现有 276 层 G9 NAND 的两倍，I/……
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