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消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

来源：币圈快讯 发布时间：2026-10-12 16:11 阅读：957 栏目：币圈快讯

韩媒报道称，三星电子正在开发面向人工智能负载优化的多款 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外，还有 zNAND-T 与 zNAND-I，分别侧重吞吐量和随机性能。

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