ASML 与蔡司在 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径不低于 0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望实现 5nm“半间距”的光学分辨率，并可能在约 10 年后面世。文章称，这一技术路线的主要挑战在于更低的可用景深，需要更薄的光刻胶，以及改进……
ASML 与蔡司在 10 月 1 日发布的文章中表示，数值孔径不低于 0.75 的 Hyper NA EUV 光刻机有望实现 5nm“半间距”的光学分辨率，并可能在约 10 年后面世。文章称，这一技术路线的主要挑战在于更低的可用景深，需要更薄的光刻胶，以及改进……
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