随着先进制程向 1nm 及以下推进，泛林集团提出自对准互补场效应晶体管 SA-CFET 架构，称其可用于 6T SRAM 和逻辑单元，并在数字孪生建模中将 6T SRAM 位单元面积较 N3 缩小 52.7%。……
随着先进制程向 1nm 及以下推进，泛林集团提出自对准互补场效应晶体管 SA-CFET 架构，称其可用于 6T SRAM 和逻辑单元，并在数字孪生建模中将 6T SRAM 位单元面积较 N3 缩小 52.7%。……
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