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铠侠与闪迪计划在日本斥资 310 亿美元扩建存储芯片工厂

铠侠与闪迪计划在日本斥资 310 亿美元扩建存储芯片工厂


消息显示,铠侠联合闪迪计划在日本投入310亿美元扩建存储芯片工厂,新厂区落地岩手县北上生产基地,定位量产新一代高密度3D NAND闪存,主打适配AI数据中心大容量存储需求。项目将重点落地332层BiCS架构闪存产品,采用CBA键合技术,面向AI海量数据读写场景。该项目有望申请日本半导体产业补贴,是继三星、SK海力士之后,全球又一轮存储大厂资本开支落地。当前AI服务器带动高端NAND需求持续上行,韩系厂商重心偏向HBM,NAND供给存在缺口,铠侠与闪迪借此扩产抢占数据中心存储份额,全球NAND闪存的产能格局迎来新一轮重塑。

本次巨额扩产印证AI驱动高端NAND需求长期景气,日韩存储大厂加速卡位算力存储赛道。短期上游半导体设备、材料订单有望增加;中长期新增产能释放或逐步缓和NAND紧缺。同时行业竞争加剧,利好国内存储产业链加速国产替代,重点关注设备、封测及存储配套标的。

相关产业链上市公司(不作个股买入推荐)

兆易创新,国内存储设计龙头,布局NOR、NAND及DRAM业务,受益存储周期上行与国产替代。佰维存储,存储模组厂商,依托国产NAND颗粒,面向服务器、工控存储市场。澜起科技,内存接口芯片龙头,配套AI服务器存储模组,算力存储核心配套。中微公司,刻蚀设备龙头,可用于3D NAND晶圆制造,海外存储扩产带动设备需求。长电科技,先进封测龙头,具备闪存芯片封装能力。江丰电子,高纯溅射靶材供应商,为存储晶圆制造提供核心材料。深科技,存储封测与存储硬件业务布局,深度配套存储产业链。正帆科技,半导体洁净设备、工艺气体配套厂商,受益海外晶圆厂资本开支。

提示:海外扩产周期较长,远期供给增加或压制存储价格,行业存在周期波动风险。