美光广岛工厂扩建正式动工了。1.5万亿日元，折93亿美元，日本政府补贴了三分之一。

但出货时间——2028年夏天。从今天算，整整两年。

这就是HBM生意的残酷之处。SK海力士和三星已经在HBM3E上跑了两三年，美光是追赶者。广岛这条线目标月产4万片，主要做1δ制程的HBM4E——也就是HBM4的后续迭代。但等它2028年出货，SK海力士的M15X已经在跑HBM4了，三星龙仁园区6座厂也在路上。

美光自己的全球版图其实铺得很大。美国博伊西ID1厂今年提前到年中投产，引入本土HBM封装能力；弗吉尼亚Fab 6的1αDRAM已经量产；台湾铜锣P5厂收购力积电后正在改造，2027年下半年贡献产出；新加坡240亿美元的NAND厂也在建。算下来，未来五年总资本开支超过2500亿美金。

但问题是——这些产能落地的时间全在2027到2030年之间。在此之前美光靠什么？靠现有的广岛老产线、台中A3厂和博伊西的ID1。现有产能打不过竞争对手的扩产节奏，这是美光现阶段最大的短板。

对业绩的影响要分两段看。短期——2026到2027财年，HBM产能受限于现有产线改造，增长靠涨价和产品结构升级，不是靠量。中期——2028年广岛和铜锣产能爬坡后，量才能上来。关键变量是1δ制程良率爬坡速度，决定美光能在HBM4E上拿到多少份额。

美光现在是跟时间赛跑。好在存储周期还在上升通道，给了它两年窗口期去追。两年后能不能追上，决定了它在AI存储格局里是老三还是老二。