铠侠（Kioxia）和闪迪（SanDisk）宣布，第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存的样品已开始出货，由位于日本岩手县北上市的半导体生产设施Fab 2（K2）负责制造。铠侠打算集成到企业级及数据中心SSD中，以满足AI存储日益增长的需求。

第十代BiCS  FLASH 1Tb TLC闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）和OPS（On-Pitch  Select Gate Drain）技术，自第八代BiCS  FLASH以来这两项技术就一直沿用。其中CBA是将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造，然后粘合在一起，以提供增强的位密度和快速的NAND  I/O接口速度。OPS则是通过创新的横向收缩技术，进一步提升位密度。

第十代BiCS FLASH 1Tb TLC闪存的层数从第八代BiCS FLASH的218层增至332层，总层数增加了38%，经过优化平面布局后，位密度提升了59%，超过29Gb/mm²，实现了业界领先的1TB  TLC闪存密度；NAND  I/O接口速度从3.6Gbps提升至4.8Gbps，提升了33%；写入和读取效率分别提升了18%和30%；I/O能效提升，数据输入功耗降低10%，输出功耗降低34%；采用Toggle  DDR6.0接口标准和SCA协议，引入了PI-LTT技术，以实现高速、低功耗运行。

目前铠侠同时推进两条截然不同的产品路线：第九代BiCS FLASH闪存解决方案以相对低的投资成本来提供高性能表现；第十代BiCS FLASH闪存解决方案则利用先进的层叠技术，实现超大容量和卓越性能。

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