据TrendForce报道，SK海力士计划于2026年下半年重启此前搁置的大连工厂二期扩建项目，新增V8（238层）NAND产线。该项目此前因NAND市场低迷和美国出口管制而暂停，重启标志着公司将NAND价格的历史性复苏转化为实际产能布局。

根据News Tomato的报道，SK海力士将在今年下半年开始向大连二期工厂安装生产设备，分阶段在2027年上半年完成设施建设。国内合作伙伴已开始将闲置NAND设备转移至大连，海外供应商据称已收到设备交付的初步采购订单。

Sisa Journal进一步披露了产能细节：大连二期将新增一条V8产线（238层），月产能目标为3万至5万片晶圆。大连一期工厂则正在将产线深度转换至192层NAND，并更换老化设备。

搁置背后的转折：从出口管制到年度审批

大连二期扩建此前陷入停滞，直接原因来自两方面：一是美国对华半导体设备出口管制的不确定性，二是NAND市场的持续低迷。

在管制层面，一个关键变量已经发生变化。根据News Tomato的报道，美国已将原有的"经验证最终用户"（VEU）制度调整为对设备运输实行年度审批流程，设备供应的不确定性随之缓解，为SK海力士重启大连扩建提供了操作空间。

这一制度变化的时间节点值得关注。在这一背景下，市场正在观察SK海力士能否借助DRAM和HBM的繁荣，通过大连扩建进一步释放其以11万亿韩元（约合80亿美元）收购英特尔NAND业务的价值。报道指出，大连二期被视为SK海力士NAND生产基地中扩建速度最快的选址。

V8产线落地的产业背景：NAND价格创历史峰值

扩建重启的时机选择并非偶然。2026年一季度，SK海力士NAND平均售价环比上涨超过70%，创下单季历史纪录。公司二季度指引进一步明确，NAND出货量将"由跌转升"、环比反弹。价格与出货量的双重改善，为重启此前被搁置的资本支出计划提供了决策基础。

韩国时报的数据显示，SK海力士2025年对大连NAND制造子公司的投资已增至4406亿韩元，同比增长52%——即便在二期扩建尚未正式重启之前，公司在NAND领域的投入已经开始加速。

在技术路线上，SK海力士此前已完成375层3D NAND闪存的生产验证，计划在韩国清州M15工厂年底前量产。大连V8（238层）产线与之形成技术梯度，分别服务于不同的市场定位。

竞争升温：三星西安工厂同步提速

SK海力士并非唯一在中国扩大NAND产能的存储巨头。Sisa Journal的报道显示，三星电子也在加速推进其西安工厂的NAND升级。三星已于3月30日完成从128层V6到236层V8的生产线转换，目前正进入量产阶段。

投资数据印证了这一趋势。据Sisa Journal估算，三星2025年对西安NAND工厂的投资约为3.04亿美元，同比增长约67.5%。韩国两大存储巨头在中国NAND产能上的同步扩张，意味着全球NAND供给端正从收缩周期进入扩张轨道。

从时间节点来看，三星西安V8量产已经启动，而SK海力士大连二期V8设备安装预计下半年才开始，两者在实际产能释放节奏上存在数个季度的时间差。