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2026年7月下旬，存储行业迎来多重变量交织——SK海力士确认1c工艺LPDDR6将于下半年量产、端侧AI设备存储升级在即；与此同时摩根斯坦利认为DDR4在CSP长约支撑下三季度合约价季涨预期抬升至30%以上；但AI交易拥挤与国内存储器产能释放预期，也让全球存储龙头股价出现阶段性调整。

SK海力士1c工艺LPDDR6剑指端侧AI，技术领跑但股价阶段性承压

据韩国《先驱报》7月28日报道，SK海力士计划于2026年下半年启动新一代低功耗移动DRAM产品LPDDR6的量产出货。公司已于2026年3月完成全球首款基于第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb LPDDR6开发验证，数据处理速度较LPDDR5X提升33%，基础工作速度超过10.7Gbps，功耗降低20%以上，主要面向智能手机、平板等端侧AI设备。报道提及小米有望成为首批客户之一，LPDDR6将搭载于小米下一代旗舰机型；SK海力士与小米的合作可追溯至2013年LPDDR3供应，此后持续配套LPDDR5X等产品，不过SK海力士方面对具体客户信息未予确认。

竞争格局方面，三星电子已于2026年1月推出基于1b工艺的LPDDR6产品并在CES 2026获奖，与SK海力士形成直接对标；中国DRAM厂商在移动DRAM市场份额亦在快速追赶。值得关注的是，尽管量产节奏与技术节点仍领先，SK海力士股价近期却出现明显调整——7月27日其美股ADR收跌7.47%至143.02美元，跌破149美元IPO发行价，盘中一度跌近10%；7月28日亚太早盘，韩国本土股价跌幅一度超12%至158.9万韩元附近，过去一个月韩国本土股价自高位回撤接近45%。市场解读认为，调整既来自AI交易拥挤后的获利了结，也叠加了中国长鑫科技于7月27日登陆上交所科创板、首日大涨约466%、市值突破3万亿元人民币带来的全球DRAM供给格局重估预期。机构提示，存储原厂与CSP签订的1—2年期LTA虽锁定了营收下限，但也可能限制价格上行时的盈利弹性，需关注后续SK海力士二季度财报对H2指引的表态。

结合摩根士丹利2026年最新大中华半导体行业报告来看，下半年全球存储芯片市场将在AI刚需驱动下维持上行基调，行业呈现显著结构性分化特征，同时板块短期股价回调不改基本面强势，结构性供需缺口将持续托底价格与估值韧性。机构指出，当前市场出现明显的“实体涨价、二级市场回调”背离行情，资金对于行业周期见顶、现金流压力的担忧引发板块情绪性下跌，但存储芯片核心产品的定价能力与供需格局并未恶化，下半年行业景气逻辑依旧稳固。

在产品价格走势上，摩根士丹利对DRAM、闪存全年涨价幅度的判断显著乐观于市场主流预期，且明确两类品类将延续强弱分化格局。机构分析，DRAM市场供需紧张格局贯穿下半年，核心源于DDR4赛道的刚性缺口难以修复，一方面企业工控、中低端PC等场景持续依赖高性价比DDR4产品，DDR5高价压制替代节奏，有效拉长了DDR4生命周期；另一方面云服务厂商为锁定供应链安全，集中签订1至2年期长期供货协议，高价锁货行为进一步收紧流通供给。基于此，机构上调涨价预期，预判2026年三季度DDR4月度涨幅可超20%，季度整体涨幅至少达30%，大幅超越行业前期13%-18%的预判区间，而高端HBM、DDR5等新型DRAM产能分流，也将持续固化成熟DRAM的供应缺口，支撑价格高位走强。

针对闪存赛道，摩根士丹利认为行业整体涨势弱于DRAM，逐步进入稳步巩固阶段。虽然AI服务器、数据中心、边缘人工智能等新兴应用持续带动闪存需求，SLC/MLC NAND、NOR闪存等细分产品因供需缺口维持高增态势，机构预判其三季度涨幅分别可达50%-60%、30%-40%，但3D NAND、各类SSD等主流闪存产品供给弹性充足，对冲了整体涨价动能。综合测算，三季度闪存整体均价涨幅仅略高于10%，四季度涨幅将进一步放缓，整体进入平台盘整区间，形成“细分大涨、整体稳增”的差异化格局。

对于市场担忧的存储价格下行风险，摩根士丹利做出明确界定，将国内存储企业提示的产品降价预警归为长期行业趋势，并非短期行情信号。机构强调，短期DDR4、高端成熟闪存等核心赛道的结构性供需缺口客观存在，稀缺的产能资源将持续支撑产品价格，下半年存储芯片涨价周期不会出现逆转。

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